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報告書

中性子照射によるシリコンドーピング

堀口 洋二; 梅井 弘

JAERI-M 86-002, 31 Pages, 1986/02

JAERI-M-86-002.pdf:0.91MB

シリコン単結晶に中性子を照射し リンをドレ-ププする。NTD法は、次の核反応により行われる.$$^{3}$$$$^{0}$$Si(u,r)$$^{3}$$$$^{1}$$Si$$rightarrow$$$$^{3}$$$$^{1}$$P+$$beta$$$$^{-}$$ この方法は、シリコン中にリンが均一にド-プされるため、シリコン半導体製造の一分野として現在、各国において用いられている。原研においては、1975年より研究を開始し1977年7月より実用照射を行っている。本報告は、原研における過去10年間の研究開発とド-ピング技術についてまとめたものである。

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